Продукція > IXYS > IXTA180N10T-TRL
IXTA180N10T-TRL

IXTA180N10T-TRL IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_-1622548.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs IXTA180N10T TRL
на замовлення 2964 шт:

термін постачання 210-219 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+515.04 грн
10+ 342.99 грн
100+ 244.02 грн
250+ 237.76 грн
500+ 216.91 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA180N10T-TRL IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA180N10T-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA180N10T-TRL Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_180n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA180N10TTRL IXTA180N10TTRL Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_180n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA180N10T-TRL IXTA180N10T-TRL Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_180n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA180N10T-TRL IXTA180N10T-TRL Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_180n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товар відсутній