IXTA130N10T-TRL Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n10t_1of2_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 215.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA130N10T-TRL Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA130N10T-TRL за ціною від 180.5 грн до 383.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA130N10T-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA130N10T-TRL | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IXTA130N10T-TRL | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchMV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 77ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXTA130N10T-TRL | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchMV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 77ns |
товар відсутній |