![IXTA120P065T IXTA120P065T](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/11/13/19/41/44/708568/ltf_/manual/littelfuse_power_semi_to-263_3_1s2c_image.jpg.jpg)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 241.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA120P065T Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA120P065T за ціною від 250.57 грн до 481.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA120P065T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTA120P065T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTA120P065T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTA120P065T | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
товар відсутній |