Продукція > LITTELFUSE > IXTA10P50P
IXTA10P50P

IXTA10P50P Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA10P50P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTA10P50P за ціною від 262.79 грн до 646.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : IXYS IXT_10P50P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.02 грн
3+ 365.15 грн
4+ 278.04 грн
9+ 262.79 грн
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+480.8 грн
10+ 412.79 грн
50+ 378.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+498.38 грн
29+ 428.13 грн
50+ 405.05 грн
100+ 374.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+498.78 грн
10+ 428.62 грн
25+ 424.35 грн
50+ 405.66 грн
100+ 371.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+506.39 грн
10+ 435.15 грн
25+ 435 грн
50+ 411.55 грн
100+ 381 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : IXYS media-3319144.pdf MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+511.42 грн
10+ 431.18 грн
50+ 367.97 грн
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : IXYS IXT_10P50P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.43 грн
3+ 455.04 грн
4+ 333.65 грн
9+ 315.35 грн
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+537.15 грн
27+ 456.99 грн
50+ 436.87 грн
100+ 400.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+646.9 грн
25+ 617.04 грн
50+ 592.21 грн
100+ 550.93 грн
250+ 494.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній