IXTA06N120P-TRL Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_06n120p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 187.55 грн |
1600+ | 154.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA06N120P-TRL Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA06N120P-TRL за ціною від 203.19 грн до 310.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA06N120P-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTA06N120P-TRL | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTA06N120P TRL | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTA06N120P-TRL | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTA06N120P-TRL | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |