на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 182.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA05N100HV Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA05N100HV за ціною від 160.99 грн до 361.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA05N100HV | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns Case: TO263HV Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A On-state resistance: 17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Mounting: SMD |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA05N100HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns Case: TO263HV Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A On-state resistance: 17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTA05N100HV | Виробник : IXYS |
MOSFET High Voltage Power MOSFET |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 612-621 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTA05N100HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
товар відсутній |