![IXLF19N250A IXLF19N250A](https://www.mouser.com/images/ixys/lrg/isoplus-i4pak.jpg)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3854.74 грн |
10+ | 3797.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXLF19N250A IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 19A, Power dissipation: 250W, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 70A, Mounting: THT, Gate charge: 142nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 0.1µs, Turn-off time: 0.6µs, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXLF19N250A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXLF19N250A | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXLF19N250A | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 19A Power dissipation: 250W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.1µs Turn-off time: 0.6µs Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXLF19N250A | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 19A Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ IGBT Type: NPT Switching Energy: 15mJ (on), 30mJ (off) Test Condition: 1500V, 19A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 142 nC Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V Power - Max: 250 W |
товар відсутній |
|
![]() |
IXLF19N250A | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 19A Power dissipation: 250W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.1µs Turn-off time: 0.6µs Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |