IXGX55N120A3H1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 55A
Power dissipation: 460W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGX55N120A3H1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; PT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 55A, Power dissipation: 460W, Case: PLUS247™, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Mounting: THT, Gate charge: 185nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 70ns, Turn-off time: 1253ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGX55N120A3H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXGX55N120A3H1") |
IXGX55N120A3H1 | Виробник : IXYS | Description: IGBT 1200V 125A 460W PLUS247 |
товар відсутній |
|
 |
IXGX55N120A3H1 | Виробник : IXYS | IGBT Modules Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode |
товар відсутній |
|
|
|
IXGX55N120A3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 55A Power dissipation: 460W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 1253ns |
товар відсутній |