![IXGT25N160 IXGT25N160](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/28/B6/70/00/1/486274_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=5227dc0ff7717e34973b06a35433c9be6c541d11)
IXGT25N160 IXYS
![IXGH(T)25N160.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 283ns
Turn-off time: 526ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT25N160 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 1.6kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 300W, Case: TO268, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: SMD, Gate charge: 84nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 283ns, Turn-off time: 526ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGT25N160
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGT25N160 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
|
IXGT25N160 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXGT25N160 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 283ns Turn-off time: 526ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |