на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1065.93 грн |
| 10+ | 925.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT16N170A IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 16A TO268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns, Switching Energy: 900µJ (off), Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 190 W.
Інші пропозиції IXGT16N170A за ціною від 895.92 грн до 1221.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT16N170A | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT NPT 1700V 16A TO268AAPackaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-268AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns Switching Energy: 900µJ (off) Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 65 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 190 W |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXGT16N170A | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXGT16N170A | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Mounting: SMD Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 35ns Kind of package: tube Case: TO268 Turn-off time: 298ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 190W Gate charge: 70nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXGT16N170A | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Mounting: SMD Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 35ns Kind of package: tube Case: TO268 Turn-off time: 298ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 190W Gate charge: 70nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |