![IXGN200N60B3 IXGN200N60B3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2782967-40.jpg)
IXGN200N60B3 IXYS SEMICONDUCTOR
![2362858.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3216.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGN200N60B3 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 300A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 830W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: IGBT Module GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 300A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXGN200N60B3 за ціною від 2744.68 грн до 4143.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
IXGN200N60B3 Код товару: 176713 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B Power dissipation: 830W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: GenX3™; PT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1.2kA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B Power dissipation: 830W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: GenX3™; PT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1.2kA |
товар відсутній |