![IXGK75N250 IXGK75N250](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/401/TO264.jpg)
IXGK75N250 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_75n250_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT NPT 2500V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 410 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 780 W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7946.57 грн |
25+ | 6664.75 грн |
100+ | 6319.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGK75N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 780W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 410nC, Technology: NPT, Case: TO264, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 530A, Turn-on time: 280ns, Turn-off time: 725ns, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGK75N250 за ціною від 6231.1 грн до 8560.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGK75N250 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGK75N250 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXGK75N250 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXGK75N250 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 410nC Technology: NPT Case: TO264 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 530A Turn-on time: 280ns Turn-off time: 725ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXGK75N250 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 410nC Technology: NPT Case: TO264 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 530A Turn-on time: 280ns Turn-off time: 725ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |