Продукція > IXYS > IXGK75N250
IXGK75N250

IXGK75N250 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_75n250_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 2500V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 410 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 780 W
на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7946.57 грн
25+ 6664.75 грн
100+ 6319.17 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGK75N250 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 780W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 410nC, Technology: NPT, Case: TO264, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 530A, Turn-on time: 280ns, Turn-off time: 725ns, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXGK75N250 за ціною від 6231.1 грн до 8560.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGK75N250 IXGK75N250 Виробник : IXYS media-3323365.pdf IGBT Transistors TO264 2500V 75A IGBT
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8560.76 грн
10+ 7767.65 грн
25+ 6442.96 грн
50+ 6300.79 грн
100+ 6231.1 грн
IXGK75N250 IXGK75N250 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній
IXGK75N250 IXGK75N250 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_75n250_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній
IXGK75N250 IXGK75N250 Виробник : IXYS IXGK75N250.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 410nC
Technology: NPT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 530A
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGK75N250 IXGK75N250 Виробник : IXYS IXGK75N250.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 410nC
Technology: NPT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 530A
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
товар відсутній