![IXGK120N120B3 IXGK120N120B3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/401/TO264.jpg)
IXGK120N120B3 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_120n120b3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1200V 200A 830W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/275ns
Switching Energy: 5.5mJ (on), 5.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 370 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 1826.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGK120N120B3 IXYS
Description: IGBT 1200V 200A 830W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-264 (IXGK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/275ns, Switching Energy: 5.5mJ (on), 5.8mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 370 A, Power - Max: 830 W.
Інші пропозиції IXGK120N120B3 за ціною від 2936.6 грн до 3969.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGK120N120B3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXGK120N120B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 120A Power dissipation: 830W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 370A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 122ns Turn-off time: 885ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXGK120N120B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 120A Power dissipation: 830W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 370A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 122ns Turn-off time: 885ns |
товар відсутній |