![IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXGH50N90B2D1 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT PT 900V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 743.32 грн |
30+ | 579.7 грн |
120+ | 545.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH50N90B2D1 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFAST Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXGH50N90B2D1 за ціною від 438.36 грн до 807.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFAST Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 400W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 400W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |