IXGH50N90B2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 594.16 грн |
3+ | 396.37 грн |
6+ | 374.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH50N90B2 IXYS
Description: IGBT 900V 75A 400W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns, Switching Energy: 4.7mJ (off), Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 135 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 400 W.
Інші пропозиції IXGH50N90B2 за ціною від 449.51 грн до 713 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGH50N90B2 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 400W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Technology: HiPerFAST™; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXGH50N90B2 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 900V 75A 400W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns Switching Energy: 4.7mJ (off) Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 400 W |
товар відсутній |
||||||||||
IXGH50N90B2 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors 50 Amps 900V 2.7 Rds |
товар відсутній |