![IXGH32N170 IXGH32N170](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/2D/F3/00/00/0/16338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f55ae6487ff4139e26964e5e5e8dbeb7f97a7f06)
IXGH32N170 IXYS
![IXGH(t)32N170.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1282.14 грн |
2+ | 1125.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH32N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 75A 350W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns, Switching Energy: 11mJ (off), Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 350 W.
Інші пропозиції IXGH32N170 за ціною від 1026.55 грн до 1615.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGH32N170 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 32A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 920ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXGH32N170 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXGH32N170 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns Switching Energy: 11mJ (off) Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IXGH32N170 Код товару: 140302 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IXGH32N170 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXGH32N170 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |