![IXGH2N250 IXGH2N250](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/2D/F3/00/00/0/16338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f55ae6487ff4139e26964e5e5e8dbeb7f97a7f06)
IXGH2N250 IXYS
![IXGH2N250.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 2A
Power dissipation: 32W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 13.5A
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1052.07 грн |
2+ | 774.88 грн |
3+ | 732.15 грн |
30+ | 722.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH2N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 2A, Power dissipation: 32W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 13.5A, Mounting: THT, Gate charge: 10.5nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 115ns, Turn-off time: 278ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGH2N250 за ціною від 741.1 грн до 1262.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGH2N250 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 10.5 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A Power - Max: 32 W |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXGH2N250 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXGH2N250 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 2A Power dissipation: 32W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 13.5A Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Turn-on time: 115ns Turn-off time: 278ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXGH2N250 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |