![IXGH25N160 IXGH25N160](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/d17cb3be4fa61d937d9cd0cf8f06e9510f7414aa/littelfuse_power_semi_to-247_3_h_2sq_1w2n_3l_image.jpg.jpg)
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 988.19 грн |
10+ | 901.48 грн |
25+ | 783.14 грн |
50+ | 711.42 грн |
100+ | 580.24 грн |
1000+ | 543.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH25N160 Littelfuse
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 1.6kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 300W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 84nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 283ns, Turn-off time: 526ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGH25N160 за ціною від 585.69 грн до 1064.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGH25N160 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 3414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 283ns Turn-off time: 526ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 300 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 283ns Turn-off time: 526ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |