![IXGH16N170 IXGH16N170](/img/ixgh16n170.jpg)
IXGH16N170 IXYS
у наявності 9 шт:
4 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 303 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXGH16N170 за ціною від 499.58 грн до 886.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGH16N170 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH16N170 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns Switching Energy: 9.3mJ (off) Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 190 W |
на замовлення 4130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH16N170 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGH16N170 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXGH16N170 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 16A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXGH16N170 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 16A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |