![IXGH12N120A3 IXGH12N120A3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-(H).jpg)
IXGH12N120A3 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1200V 22A 100W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 20.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 255.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH12N120A3 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; PT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 12A, Power dissipation: 100W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Gate charge: 20.4nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 202ns, Turn-off time: 1545ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGH12N120A3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGH12N120A3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXGH12N120A3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 12A Power dissipation: 100W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 20.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 202ns Turn-off time: 1545ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXGH12N120A3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXGH12N120A3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 12A Power dissipation: 100W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 20.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 202ns Turn-off time: 1545ns |
товар відсутній |