IXGH10N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 110W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 751.29 грн |
| 30+ | 585.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH10N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Collector current: 10A, Power dissipation: 110W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 70A, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 0.3µs, Turn-off time: 630ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGH10N170 за ціною від 516.55 грн до 819.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGH10N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 20 Amps 1700 V 4 V Rds |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXGH10N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 630ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXGH10N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 630ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |