IXGA42N30C3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 84A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 113ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 223W
Gate charge: 76nC
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 300V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGA42N30C3 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 42A, Pulsed collector current: 84A, Turn-on time: 21ns, Turn-off time: 113ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 223W, Gate charge: 76nC, Technology: GenX3™, Collector-emitter voltage: 300V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGA42N30C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGA42N30C3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 300V 223W TO263AA |
товар відсутній |
|
| IXGA42N30C3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 42A Pulsed collector current: 84A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 113ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 223W Gate charge: 76nC Technology: GenX3™ Collector-emitter voltage: 300V |
товар відсутній |