![IXFX64N50P IXFX64N50P](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1328.55 грн |
10+ | 1160.5 грн |
30+ | 994.49 грн |
60+ | 926.89 грн |
120+ | 895.53 грн |
270+ | 857.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX64N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX64N50P за ціною від 1260.24 грн до 1343.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX64N50P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXFX64N50P Код товару: 88763 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||
![]() |
IXFX64N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXFX64N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXFX64N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 64A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXFX64N50P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXFX64N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 64A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |