![IXFX360N10T IXFX360N10T](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2530/TO-247-Plus-%28X%29.jpg)
IXFX360N10T Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 928.02 грн |
30+ | 723 грн |
120+ | 680.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX360N10T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX360N10T за ціною від 596.01 грн до 1140.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX360N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 525nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFX360N10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFX360N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 525nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFX360N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |