![IXFX27N80Q IXFX27N80Q](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/DD/F3/00/00/1/16349_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=3080b8222548e4f64408e4add7620d593a01abbe)
IXFX27N80Q IXYS
![IXFK(X)27N80Q.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1443.58 грн |
2+ | 1268.05 грн |
3+ | 1267.32 грн |
10+ | 1259.36 грн |
30+ | 1218.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX27N80Q IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX27N80Q за ціною від 1343.15 грн до 1912.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX27N80Q | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFX27N80Q | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFX27N80Q Код товару: 56425 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
IXFX27N80Q | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFX27N80Q | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFX27N80Q | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |