![IXFX230N20T IXFX230N20T](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2530/TO-247-Plus-%28X%29.jpg)
IXFX230N20T Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_230n20t_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1761.05 грн |
30+ | 1405.64 грн |
120+ | 1317.8 грн |
510+ | 1055.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX230N20T Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFX230N20T - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: GigaMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXFX230N20T за ціною від 1171.51 грн до 2001.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67kW Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: GigaMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1670W Case: PLUS247™ On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1670W Case: PLUS247™ On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товар відсутній |