![IXFX160N30T IXFX160N30T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/DD/F3/00/00/1/16349_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=3080b8222548e4f64408e4add7620d593a01abbe)
IXFX160N30T IXYS
![IXF_160N30T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1071.84 грн |
3+ | 941.56 грн |
30+ | 931.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX160N30T IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX160N30T за ціною від 858.6 грн до 1451.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX160N30T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: PLUS247™ On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFX160N30T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 210-219 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFX160N30T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFX160N30T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
товар відсутній |