![IXFX140N25T IXFX140N25T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/DD/F3/00/00/1/16349_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=3080b8222548e4f64408e4add7620d593a01abbe)
IXFX140N25T IXYS
![IXFK(X)140N25T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 140A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX140N25T IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 140A, Power dissipation: 960W, Case: PLUS247™, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 255nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFX140N25T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX140N25T | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFX140N25T | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFX140N25T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 140A Power dissipation: 960W Case: PLUS247™ On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товар відсутній |