![IXFX100N65X2 IXFX100N65X2](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/dcf6b718139d786fe96ce60c0f71e015138e8f43/littelfuse_power_semi_plus247_3_2sq_1w2n_3l_image.jpg.jpg)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1219.81 грн |
10+ | 1137.18 грн |
25+ | 1115.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX100N65X2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX100N65X2 за ціною від 815.32 грн до 1395.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V |
на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 183nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 183nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |