![IXFT50N85XHV IXFT50N85XHV](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-268.jpg)
IXFT50N85XHV IXYS
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n85x_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1290.63 грн |
30+ | 1005.9 грн |
120+ | 946.72 грн |
510+ | 805.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT50N85XHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT50N85XHV за ціною від 799.36 грн до 1416.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFT50N85XHV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFT50N85XHV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO268HV On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 218ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFT50N85XHV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFT50N85XHV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO268HV On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 218ns |
товар відсутній |