Технічний опис IXFT20N100P Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 20A, Power dissipation: 660W, Case: TO268, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 570mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 126nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 300ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFT20N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT20N100P | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 20A Power dissipation: 660W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 570mΩ Mounting: SMD Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFT20N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 |
товар відсутній |
|
 |
IXFT20N100P | Виробник : IXYS |
MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXFT20N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 20A Power dissipation: 660W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 570mΩ Mounting: SMD Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
товар відсутній |