IXFT180N20X3HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Power dissipation: 780W
Gate charge: 154nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 180A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 94ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 884.69 грн |
| 3+ | 776.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT180N20X3HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT180N20X3HV за ціною від 719.17 грн до 1384.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFT180N20X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Power dissipation: 780W Gate charge: 154nC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; X3-Class Drain current: 180A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 94ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFT180N20X3HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFT180N20X3HV | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|