IXFT150N17T2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 175V
Drain current: 150A
Power dissipation: 880W
Case: TO268
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 233nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT150N17T2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 175V, Drain current: 150A, Power dissipation: 880W, Case: TO268, On-state resistance: 12mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 233nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFT150N17T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFT150N17T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH |
товар відсутній |
||
 |
IXFT150N17T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2 |
товар відсутній |
|
|
|
IXFT150N17T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 175V Drain current: 150A Power dissipation: 880W Case: TO268 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 233nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товар відсутній |