IXFT120N30X3HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1164.09 грн |
| 2+ | 846.46 грн |
| 3+ | 800 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N30X3HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFT120N30X3HV за ціною від 917.31 грн до 1396.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT120N30X3HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N30X3HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N30X3HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFT120N30X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268 Case: TO268 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 735W Polarisation: unipolar Gate charge: 170nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 145ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N30X3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товар відсутній |