![IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/28/B6/70/00/1/486274_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=5227dc0ff7717e34973b06a35433c9be6c541d11)
IXFT120N25X3HV IXYS
![IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO268HV
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 903.89 грн |
2+ | 673.49 грн |
3+ | 672.77 грн |
4+ | 636.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N25X3HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT120N25X3HV за ціною від 707.04 грн до 1084.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFT120N25X3HV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFT120N25X3HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns Reverse recovery time: 140ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 480W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 122nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO268HV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFT120N25X3HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFT120N25X3HV | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V |
товар відсутній |