![IXFR90N30 IXFR90N30](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/D8/F8/90/00/0/626573_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=fc6056cacb30abdd651d29b387dc2dfc963179cc)
IXFR90N30 IXYS
![IXFR90N30.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 75A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR90N30 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 75A, Power dissipation: 417W, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 360nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 30 шт.
Інші пропозиції IXFR90N30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFR90N30 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFR90N30 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFR90N30 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 75A Power dissipation: 417W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |