![IXFR230N20T IXFR230N20T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/D8/F8/90/00/0/626573_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=fc6056cacb30abdd651d29b387dc2dfc963179cc)
IXFR230N20T IXYS
![IXFR230N20T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 156A
Power dissipation: 600W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1401.76 грн |
2+ | 1231.21 грн |
3+ | 1230.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR230N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR230N20T за ціною від 1476.58 грн до 1682.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFR230N20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 156A Power dissipation: 600W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFR230N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXFR230N20T | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXFR230N20T | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |