![IXFR18N90P IXFR18N90P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/D8/F8/90/00/0/626573_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=fc6056cacb30abdd651d29b387dc2dfc963179cc)
IXFR18N90P IXYS
![IXFR18N90P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1022.44 грн |
2+ | 680.01 грн |
4+ | 643.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR18N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR18N90P за ціною від 771.69 грн до 1226.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFR18N90P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 200W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFR18N90P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXFR18N90P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXFR18N90P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |