IXFR15N100Q3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1150.8 грн |
| 3+ | 1010.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR15N100Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR15N100Q3 за ціною від 1075 грн до 1544.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFR15N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 400W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR15N100Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR15N100Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR15N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |