![IXFQ94N30P3 IXFQ94N30P3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5E/A0/00/00/1/2789_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a0a85b3d60ccbc14c69437a32820a05ac2e6f41c)
IXFQ94N30P3 IXYS
![IXFH(Q,T)94N30P3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO3P
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO3P
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 794.3 грн |
2+ | 552.45 грн |
3+ | 551.72 грн |
5+ | 521.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ94N30P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFQ94N30P3 за ціною від 614.31 грн до 953.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFQ94N30P3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ94N30P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO3P Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 102nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ94N30P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |