Продукція > IXYS > IXFQ8N85X
IXFQ8N85X

IXFQ8N85X IXYS

IXFP(Q)8N85X_HV.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 125ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+352.59 грн
3+ 294.74 грн
4+ 232.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFQ8N85X IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFQ8N85X за ціною від 213.26 грн до 474.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFQ8N85X IXFQ8N85X Виробник : IXYS IXFP(Q)8N85X_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.11 грн
3+ 367.29 грн
4+ 278.77 грн
10+ 263.08 грн
IXFQ8N85X IXFQ8N85X Виробник : IXYS media-3321477.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+474.83 грн
10+ 392.71 грн
30+ 322.67 грн
120+ 275.98 грн
270+ 266.22 грн
510+ 245.31 грн
1020+ 213.26 грн
IXFQ8N85X Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
товар відсутній