![IXFQ60N50P3 IXFQ60N50P3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5E/A0/00/00/1/2789_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a0a85b3d60ccbc14c69437a32820a05ac2e6f41c)
IXFQ60N50P3 IXYS
![IXF_60N50P3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 621.53 грн |
3+ | 418.15 грн |
6+ | 395.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ60N50P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFQ60N50P3 за ціною від 401.24 грн до 745.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFQ60N50P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ60N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 60A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFQ60N50P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFQ60N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |