![IXFQ34N50P3 IXFQ34N50P3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4818/238%3BTO3P%3B%3B3.jpg)
IXFQ34N50P3 IXYS
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_34n50p3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 572.94 грн |
30+ | 440.43 грн |
120+ | 394.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ34N50P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 34A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFQ34N50P3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFQ34N50P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFQ34N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Power dissipation: 695W Case: TO3P On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFQ34N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXFQ34N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Power dissipation: 695W Case: TO3P On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |