![IXFP90N20X3 IXFP90N20X3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXFP90N20X3 IXYS
![IXF_90N20X3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
![200VProductBrief.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 415.13 грн |
3+ | 309.26 грн |
8+ | 292.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP90N20X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP90N20X3 за ціною від 342.36 грн до 560.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFP90N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFP90N20X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V |
товар відсутній |