![IXFP6N120P IXFP6N120P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXFP6N120P IXYS
![IXFA(H,P)6N120P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 614.55 грн |
3+ | 409.16 грн |
6+ | 386.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP6N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP6N120P за ціною від 369.86 грн до 742.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFP6N120P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFP6N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFP6N120P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFP6N120P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFP6N120P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |