Продукція > IXYS > IXFP4N85X
IXFP4N85X

IXFP4N85X IXYS

IXFA(P,Y)4N85X.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.27 грн
3+ 166.97 грн
6+ 150.27 грн
16+ 142.29 грн
50+ 140.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP4N85X IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP4N85X за ціною від 168.13 грн до 243.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFP4N85X IXFP4N85X Виробник : IXYS IXFA(P,Y)4N85X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.92 грн
3+ 208.07 грн
6+ 180.33 грн
16+ 170.74 грн
50+ 168.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP4N85X Виробник : Littelfuse media.pdf X-Class HiPERFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFP4N85X IXFP4N85X Виробник : Littelfuse media.pdf X-Class HiPERFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFP4N85X IXFP4N85X Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFP4N85X IXFP4N85X Виробник : IXYS media-3320201.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товар відсутній