на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 460.19 грн |
| 10+ | 395.11 грн |
| 50+ | 291.31 грн |
| 250+ | 281.55 грн |
| 500+ | 259.25 грн |
| 1000+ | 230.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP4N100PM IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2.1A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 40W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 26nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 300ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFP4N100PM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N100PM | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP4N100PM | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
товар відсутній |