Продукція > IXYS > IXFP34N65X2
IXFP34N65X2

IXFP34N65X2 IXYS


media-3321279.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+459.38 грн
10+ 423.97 грн
50+ 324.06 грн
100+ 300.37 грн
250+ 286.43 грн
500+ 275.98 грн
1000+ 256.46 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP34N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP34N65X2 за ціною від 245.05 грн до 477.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+477.96 грн
50+ 367.51 грн
100+ 328.82 грн
500+ 272.28 грн
1000+ 245.05 грн
IXFP34N65X2
Код товару: 180236
media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXFP34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
товар відсутній