IXFP30N60X IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP30N60X IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 500W, Case: TO220AB, On-state resistance: 155mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 56nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 145ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFP30N60X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP30N60X | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220 |
товар відсутній |
|
 |
IXFP30N60X | Виробник : IXYS |
MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP30N60X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 500W Case: TO220AB On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 145ns |
товар відсутній |