![IXFP30N25X3 IXFP30N25X3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXFP30N25X3 IXYS
![IXFA(P,Y)30N25X3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 82ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 364.32 грн |
3+ | 299.09 грн |
4+ | 265.7 грн |
9+ | 251.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP30N25X3 IXYS
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP30N25X3 за ціною від 215.36 грн до 487.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFP30N25X3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO220AB On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 82ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP30N25X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP30N25X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP30N25X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
IXFP30N25X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |